Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GS9011D . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GS9011D

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GS9011D (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.6

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 18

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 3

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.05

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 100

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 3

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 28

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GS9011E , GS9011G , GS9011H , GS9012 , GS9012D , GS9013 , GS9013D , GS9014C , GS9016 , GS9020G , GSDB10008 , GSH9012 , GSH9032E , GSRU15040A , GSTR8030 , GSTU8045 , GT100-10 , GT108B , GT115G , GT125A , GT150-10 , GT1644 , GT250-10C , GT250-6A , GT250-8C , GT2695 , GT2906 , GT310G , GT311B , GT321V , GT322M4

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved