Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GMO656A . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GMO656A

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GMO656A (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.075

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 15

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.05

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 100

Maksymalna częstotliwość (Ft): 360

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 20

Wytwórca:

CIAŁO: TO39

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GP140 , GS100B , GS100C , GS109C , GS109D , GS111C , GS111E , GS2013 , GS8550T , GS9013 , GS9013F , GS9016 , GS9017 , GSDB10008 , GSDR10025I , GSH9033D , GSRU10030 , GSRU20035 , GSTU6035 , GT100-6 , GT109B , GT122A , GT124A , GT150-10 , GT1606 , GT250-10C , GT250-5C , GT2693 , GT2765 , GT309A , GT310A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved