Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GMJ3055 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GMJ3055

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GMJ3055 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 90

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 70

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 10

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 1.5

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GMO290 , GMO378 , GMO378A , GP145 , GS100B , GS109B , GS109D , GS121B , GS2014 , GS9012 , GS9012F , GS9015 , GS9016D , GS9020 , GS9022 , GSH9012F , GSH9032D , GSRU15035 , GSTU30020 , GSTU8045I , GT108A , GT115D , GT1202 , GT125I , GT150-7 , GT1609 , GT250-4B , GT250-8D , GT250-9D , GT305V , GT309B

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved