Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GMJ2955 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GMJ2955

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GMJ2955 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 90

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 70

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 10

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 1.5

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GMJ3055 , GMO290A , GMO378 , GP140 , GP145 , GS100D , GS109C , GS112E , GS2013 , GS9011I , GS9012E , GS9014C , GS9016 , GS9018H , GS9021 , GSH9012E , GSH9032 , GSRU15030A , GSTU30018 , GSTU8045 , GT1079 , GT115B , GT1201 , GT125G , GT150-6 , GT1608 , GT250-4A , GT250-8C , GT250-9C , GT305B , GT309A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved