Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME9001 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME9001

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME9001 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 15

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 400

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 4

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME9002 , GME9022 , GMJ2955 , GMO290A , GMO378 , GP140 , GS100B , GS111E , GS121C , GS9011E , GS9011I , GS9014 , GS9015 , GS9018D , GS9018H , GSDU7535 , GSH9012 , GSRU10030 , GSTU10035 , GSTU8030 , GT100-6 , GT109I , GT115B , GT125A , GT150-10 , GT1604 , GT250-3A , GT250-7C , GT250-8C , GT2887 , GT308A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved