Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME6003 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME6003

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME6003 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.36

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 25

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 25

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 150

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 12

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME9001 , GME9021 , GME9022 , GMO290 , GMO290A , GMO656A , GP145 , GS111D , GS121B , GS9011D , GS9011H , GS9013I , GS9015 , GS9018 , GS9018G , GSDU7530 , GSDU7540 , GSH9033E , GSTU10030 , GSTU6040 , GT100-5 , GT109G , GT115A , GT124V , GT125V , GT150-9 , GT250-10D , GT250-7B , GT250-8B , GT2886 , GT305V

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved