Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME4001 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME4001

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME4001 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 25

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 10

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 40

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 3

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 60

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME4002 , GME6001 , GME6002 , GME9002 , GME9021 , GMJ3055 , GMO290A , GS109C , GS111E , GS2052 , GS9011 , GS9013D , GS9014 , GS9016E , GS9017 , GSDR15020I , GSDR15025I , GSH9032 , GSRU15040A , GSTU4030 , GSTU8045 , GT108V , GT109E , GT122G , GT125G , GT150-4 , GT1644 , GT250-6A , GT250-7A , GT2767 , GT2887

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved