Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME3001 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME3001

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME3001 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 12

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 600

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 3.5

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 20

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME3002 , GME4002 , GME4003 , GME6003 , GME9001 , GME9022 , GMJ3055 , GS100D , GS111C , GS2017 , GS8550T , GS9013 , GS9013H , GS9016 , GS9016G , GSDR10025I , GSDR15020I , GSH9012E , GSRU15035A , GSTU30018 , GSTU8040 , GT108B , GT109B , GT122A , GT125D , GT150-10 , GT1608 , GT250-5C , GT250-6C , GT2765 , GT2885

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved