Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME2002 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME2002

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME2002 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 35

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 20

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 5

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 100

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME3001 , GME4001 , GME4002 , GME6002 , GME6003 , GME9021 , GMJ2955 , GS100C , GS111B , GS2014 , GS8050T , GS9012F , GS9013G , GS9015C , GS9016F , GSDR10025 , GSDR15020 , GSH9012D , GSRU15035 , GSTU15020 , GSTU8035 , GT108A , GT109A , GT1202 , GT125B , GT125V , GT1607 , GT250-5B , GT250-6B , GT2696 , GT2884

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved