Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME2001 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME2001

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME2001 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 35

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 20

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 5

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME2002 , GME3002 , GME4001 , GME6001 , GME6002 , GME9002 , GME9022 , GS100B , GS110 , GS2013 , GS2052 , GS9012E , GS9013F , GS9015B , GS9016E , GSDR10020I , GSDR10025I , GSH9012 , GSRU15030A , GSTU15018 , GSTU8030 , GT1079 , GT108V , GT1201 , GT125A , GT125L , GT1606 , GT250-5A , GT250-6A , GT2695 , GT2883

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved