Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME1002 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME1002

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME1002 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 45

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 45

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 300

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 2.5

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 100

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME2001 , GME3001 , GME3002 , GME4003 , GME6001 , GME9001 , GME9021 , GP145 , GS109D , GS2012 , GS2017A , GS9012D , GS9013E , GS9015A , GS9016D , GSDR10020 , GSDR10025 , GSDU7540 , GSRU15030 , GSTU10040 , GSTU6040 , GT100-9 , GT108G , GT115V , GT124V , GT125K , GT1605 , GT250-4D , GT250-5D , GT2694 , GT2768

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved