Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME1001 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME1001

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME1001 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.25

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 45

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 45

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 300

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 2.5

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME1002 , GME2002 , GME3001 , GME4002 , GME4003 , GME6003 , GME9002 , GP140 , GS109C , GS122 , GS2017 , GS9012 , GS9013D , GS9015 , GS9016 , GSDB10008 , GSDR10020I , GSDU7535 , GSRU10040 , GSTU10035 , GSTU6035 , GT100-8 , GT108B , GT115G , GT124G , GT125J , GT1604 , GT250-4C , GT250-5C , GT2693 , GT2767

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved