Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME0404-2 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME0404-2

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME0404-2 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.36

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 30

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 12

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME1001 , GME2001 , GME2002 , GME4001 , GME4002 , GME6002 , GME9001 , GMO656A , GS109B , GS121D , GS2014 , GS9012 , 2SB1386-Q , GS9015 , GS9015C , GS9022 , GSDR10020 , GSDU7530 , GSRU10035 , GSTU10030 , GSTU6030 , GT100-7 , GT108A , GT115D , GT124B , GT125I , GT150-9 , GT250-4B , GT250-5B , GT250-9D , GT2766

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved