Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GME0404-1 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GME0404-1

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GME0404-1 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.36

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 30

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 12

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 20

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME0404-2 , GME1002 , GME2001 , GME3002 , GME4001 , GME6001 , GME6003 , GMO378A , GS100D , GS121C , GS2013 , GS9011I , GS9013 , GS9014C , GS9015B , GS9021 , GSDB10008 , GSDS50020 , GSRU10030 , GSTR8030 , GSTU4040 , GT100-6 , GT1079 , GT115B , GT124A , GT125G , GT150-8 , GT250-4A , GT250-5A , GT250-9C , GT2765

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved