Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GM656A . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GM656A

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GM656A (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.075

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 15

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.05

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 100

Maksymalna częstotliwość (Ft): 360

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 20

Wytwórca:

CIAŁO: TO39

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GME0404 , GME0404-2 , GME1001 , GME2002 , GME3001 , GME4002 , GME6001 , GMO290A , GS100B , GS112E , GS122 , GS9011G , GS9012E , GS9014A , GS9015 , GS9020G , GS9021 , GSDR15025I , GSH9033D , GSRU20035 , GSTU4030 , GT100-4 , GT100-8 , GT109V , GT122G , GT125D , GT150-6 , GT250-3C , GT250-4C , GT250-9A , GT2695

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved