Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GI3638A . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GI3638A

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GI3638A (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.3

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 25

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 25

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max):

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 250

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 10

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 150

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GI3641 , GI3644 , GI3702 , GI3705 , GI3706 , GI3709 , GI3711 , GME1002 , GME4002 , GMO378A , GS100B , GS112E , GS2013 , GS9011G , 2SB1386-R , 2SB1386-P , GS9015B , GS9018D , GSDR10025I , GSH9012E , GSRU10040 , GSTU15018 , GSTU4030 , GT100-4 , GT108V , GT109V , GT124A , GT150-6 , GT1604 , GT250-4C , GT250-6A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved