Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GI2712 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GI2712

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GI2712 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.3

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 18

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 18

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 4.5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 12

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 300

Wytwórca:

CIAŁO: TO106

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GI2713 , GI2715 , GI2716 , GI2923 , GI2924 , GI3392 , GI3638A , GI3708 , GM290A , GME4003 , GME9001 , GS100C , GS111B , GS2012 , GS2017A , GS9013 , GS9013E , GS9015 , GS9018E , GSDR10025 , GSDU7540 , GSRU15030 , GSRU15040 , GSTU4035 , GSTU8045I , GT100-9 , GT109J , GT125B , GT125I , GT1609 , GT250-10D

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved