Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GFT32 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GFT32

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GFT32 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.125

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 15

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce):

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.3

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 75

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.5

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: TO30

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GFT32-15 , GFT32-60 , GFT34 , GFT34-60 , GFT41 , GFT43 , GFT43B , GI2713 , GI2923 , GI3706 , GI3710 , GME3001 , GME6002 , GMO656A , GS100C , GS2012 , GS2014 , GS9011F , GS9013G , GS9015C , GS9018E , GSDR15020 , GSDS50018 , GSH9033E , GSRU20030 , GSTU15020 , GSTU8040I , GT109D , GT109J , GT125B , GT125K

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved