Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GFT31-30 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GFT31-30

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GFT31-30 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.125

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce):

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.3

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 75

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.4

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: TO30

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GFT31-60 , GFT32-15 , GFT32-30 , GFT34-15 , GFT34-30 , GFT42A , GFT43 , GI2711 , GI2921 , GI3704 , GI3708 , GME2001 , GME4003 , GMO378 , GP145 , GS121D , GS2012 , GS9011D , GS9013E , GS9015A , GS9018 , GSDR10025 , GSDR15025 , GSH9033 , GSRU15040 , GSTU10040 , GSTU8035 , GT109A , GT109G , GT124V , GT125I

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved