Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GF506 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GF506

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GF506 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.06

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 15

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 2

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.01

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 75

Maksymalna częstotliwość (Ft): 170

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 3

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 80

Wytwórca:

CIAŁO: TO72

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GF507 , GF515 , GF516 , GF758 , GF759 , GF762 , GFT20 , GFT22 , GFT25-15 , GFT34-30 , GFT42B , GI2714 , GI2924 , GI3705 , GI3709 , GME4002 , GME6001 , GMO290A , GS111C , GS2013 , GS9011E , GS9013F , GS9014 , GS9016G , GS9020G , GSDR10025I , GSH9012E , GSRU20035 , GSTU10035 , GT100-10 , GT100-8

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved