Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GF501 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GF501

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GF501 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.06

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 15

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 2

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.01

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 75

Maksymalna częstotliwość (Ft): 300

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 3

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 20

Wytwórca:

CIAŁO: TO72

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GF502 , GF504 , GF505 , GF514 , GF515 , GF757 , GF759 , GFT21 , GFT22-15 , GFT32-15 , GFT34-15 , GFT692 , GI2715 , GI3643 , GI3704 , GME2001 , GME3001 , GME9021 , GS109B , GS121B , GS8050T , GS9012F , GS9013E , GS9015C , GS9018E , GS9022 , GSDU7530 , GSRU15035 , GSRU20030 , GSTU8035 , GT100-3

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved