Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GET930 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GET930

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GET930 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.36

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 70

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 125

Maksymalna częstotliwość (Ft): 90

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 4

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 100

Wytwórca:

CIAŁO: X55-1

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GET931 , GF105 , GF108 , GF122 , GF125 , GF128 , GF130 , GF141 , GF180 , GF758 , GF762 , GFT22-30 , GFT25-60 , GFT34-30 , GFT42B , GI2922 , GI2924 , GI3703 , GME0404 , GME6001 , GMO290A , GS111C , GS112C , GS8550T , 2SB1386-R , GS9013F , GS9015B , GS9021 , GSDR10020I , GSH9032E , GSRU10040

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved