Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GES5824 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GES5824

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GES5824 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.36

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb):

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 40

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 50

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 4

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 60

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GES5825 , GES5827 , GES5827A , GES5855 , GES5856 , GES5910 , GES6001 , GES6012 , GES6218 , GES929 , GES97 , GET174 , GET2483 , GET3638A , GET3905 , GET7 , GET708 , GET882 , GET9 , GF126 , GF137 , GF503 , GF507 , GFT20-30 , GFT22-30 , GFT31 , GFT41 , GI2716 , GI2924 , GI3711 , GME0404

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved