Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GES3416 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GES3416

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GES3416 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.36

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 50

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 75

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GES3417 , GES3495 , GES3496 , GES3563 , GES3564 , GES3567 , GES3569 , GES3642 , GES3692 , GES3905R , GES3947 , GES4126 , GES4248 , GES4401 , GES4888 , GES5129 , GES5131 , GES5142 , GES5372 , GES5451 , GES5815 , GES5828A , GES5858 , GES6013 , GES6224 , GES92 , GET110 , GET2907 , GET3562 , GET536 , GET691

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved