Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor GCN56 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: GCN56

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora GCN56 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.125

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 40

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 12

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.125

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 90

Maksymalna częstotliwość (Ft): 1

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 20

Wytwórca:

CIAŁO: TO7

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: GD100 , GD114 , GD115 , GD130 , GD133 , GD142 , GD151 , GD175 , GD180B , GD241B , GD340 , GE10001 , GE10007 , GE5062 , GE6061 , GES2221A , GES2221R , GES2711 , GES2907 , GES3251 , GES3397 , GES3499 , GES3566 , GES3643 , GES3743 , GES3905 , GES4072 , GES4258A , GES4355 , GES4964 , GES5128

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved