Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2N1050 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2N1050

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N1050 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 40

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 120

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 120

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 6

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 8

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 200

Maksymalna częstotliwość (Ft): 2

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: TO57

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2N1050A , 2N1050C , 2N1051 , 2N1054 , 2N1055 , 2N1058 , 2N106 , 2N1072A , 2N1075 , 2N109 , 2N1093 , 2N1105 , 2N1110 , 2N111A , 2N1122 , 2N1132-46 , 2N1132A , 2N1138 , 2N1146 , 2N1152 , 2N116 , 2N1168 , 2N1171 , 2N1180 , 2N1187 , 2N1193 , 2N1203 , 2N1215 , 2N1219 , 2N1234 , 2N124

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved