Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor ESM2060T . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: ESM2060T

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora ESM2060T (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 400

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb):

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 200

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 90

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 2000

Wytwórca:

CIAŁO: TO83

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: ESM2070D , ESM214 , ESM217 , ESM259 , ESM260 , ESM2633 , ESM2667 , ESM29 , ESM3006 , ESM4011 , ESM4016 , ESM5038 , ESM6045DV , ESM691 , ESM7005 , ESM837 , ESM856 , ET10021 , ET375 , ET403 , ET4060 , ET5002 , ET5063 , ET6002 , ET6545 , ET721 , EW53-2 , F110 , F114 , F124A , FA1A4M

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved