Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D40N4 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D40N4

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D40N4 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 6.5

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 300

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 300

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 50

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 3

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 60

Wytwórca:

CIAŁO: TO202

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D40N5 , D40NU2 , D40NU3 , D40P1 , D40P2 , D40P5 , D40PU2 , D41D1 , D41D2 , D41DU2 , D41DU6 , D41K4 , D42C3 , D42CU3 , D42CU7 , D42T7 , D43C1 , D43C8 , D43CU1 , D43D1 , D44C2 , D44E1 , D44H10 , D44Q5 , D44T1 , D44TD3 , D44VH1 , D44VM8 , D45C10 , D45E , D45H11

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved