Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D40N3 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D40N3

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D40N3 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 6.5

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 300

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 300

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 50

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 3

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: TO202

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D40N4 , D40NU1 , D40NU2 , D40NU5 , D40P1 , D40P4 , D40PU1 , D40V6 , D41D14 , D41DU14 , D41DU5 , D41K3 , D42C2 , D42CU2 , D42CU6 , D42T6 , D42T8 , D43C7 , D43CJ9 , D43CU9 , D44C12 , D44D6 , D44H1 , D44Q4 , D44R8 , D44T8 , D44U6 , D44VM7 , D45C1 , D45D6 , D45H10

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved