Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D40N2 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D40N2

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D40N2 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 6.5

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 250

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 50

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 3

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 60

Wytwórca:

CIAŁO: TO202

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D40N3 , D40N5 , D40NU1 , D40NU4 , D40NU5 , D40P3 , D40P5 , D40V5 , D41D13 , D41DU13 , D41DU4 , D41K2 , D42C12 , D42CU12 , D42CU5 , D42T5 , D42T7 , D43C6 , D43CJ8 , D43CU8 , D44C11 , D44D5 , D44E3 , D44Q3 , D44R7 , D44T7 , D44U5 , D44VM6 , D45C , D45D5 , D45H1

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved