Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D40N1 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D40N1

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D40N1 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 6.5

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 250

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 50

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 3

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 30

Wytwórca:

CIAŁO: TO202

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D40N2 , D40N4 , D40N5 , D40NU3 , D40NU4 , D40P2 , D40P4 , D40V4 , D41D12 , D41DU12 , D41DU3 , D41K1 , D42C11 , D42CU11 , D42CU4 , D42T4 , D42T6 , D43C5 , D43CJ7 , D43CU7 , D44C10 , D44D4 , D44E2 , D44Q2 , D44R6 , D44T6 , D44U4 , D44VM5 , D44VM9 , D45D4 , D45E3

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved