Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D40E7 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D40E7

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D40E7 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 8

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 80

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 230

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 50

Wytwórca:

CIAŁO: TO202

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D40K1 , D40K3 , D40K4 , D40N3 , D40N4 , D40NU2 , D40NU4 , D40PU4 , D40V5 , D41D8 , D41DU11 , D41E3 , D41K2 , D42C7 , D42CU10 , D42R2 , D42T1 , D43C11 , D43CJ2 , D43CU2 , D43D3 , D44C8 , D44D3 , D44H6 , D44R1 , D44T1 , D44TE4 , D44VM1 , D44VM4 , D45C9 , D45D5

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved