Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D40E5-6 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D40E5-6

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D40E5-6 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 8

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 50

Wytwórca:

CIAŁO: TO202

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D40E6 , D40K1 , D40K2 , D40N1 , D40N2 , D40N5 , D40NU2 , D40PU2 , D40V3 , D41D6 , D41DU1 , D41E1 , D41E7 , D42C5 , D42C9 , D42D6 , D42R2 , D43C1 , D43CJ11 , D43CU11 , D43D1 , D44C6 , D44D1 , D44H4 , D44Q5 , D44R7 , D44TD5 , D44VH8 , D44VM2 , D45C7 , D45D3

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved