Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D40E3 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D40E3

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D40E3 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 8

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 45

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 45

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 230

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 50

Wytwórca:

CIAŁO: TO202

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D40E4 , D40E5-6 , D40E6 , D40K2 , D40K3 , D40N2 , D40N4 , D40P4 , D40PU5 , D41D3 , D41D7 , D41DU7 , D41E4 , D42C2 , D42C6 , D42D3 , D42D5 , D42T6 , D43C9 , D43CJ9 , D43CU7 , D44C3 , D44C7 , D44H11 , D44Q2 , D44R4 , D44T8 , D44VH5 , D44VH9 , D45C4 , D45D

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved