Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D40E1-4 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D40E1-4

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D40E1-4 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 8

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 30

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 2

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 200

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 50

Wytwórca:

CIAŁO: TO202

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D40E2 , D40E4 , D40E5 , D40E7 , D40K1 , D40K4 , D40N2 , D40P2 , D40PU3 , D41D14 , D41D5 , D41DU5 , D41E2 , D42C11 , D42C4 , D42D1 , D42D3 , D42T4 , D43C7 , D43CJ7 , D43CU5 , D44C12 , D44C5 , D44H1 , D44H9 , D44R2 , D44T6 , D44VH3 , D44VH7 , D45C2 , D45C8

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved