Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D38S8 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D38S8

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D38S8 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 7

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 100

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 4

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 400

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D38S9 , D38V2 , D38V3 , D38W12 , D38W13 , D38W7 , D38W9 , D39J1 , D39J7 , D40CU1 , D40CU6 , D40D7 , D40DU12 , D40E1-4 , D40E5 , D40P1 , D40P3 , D40V3 , D41D6 , D41DU4 , D41E5 , D42C5 , D42C9 , D42D2 , D42T3 , D43C11 , D43CJ11 , D43CU6 , D43D1 , D44D1 , D44E1

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved