Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D38S10 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D38S10

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D38S10 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 7

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 100

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 4

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 4000

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D38S2 , D38S4 , D38S5 , D38S8 , D38S9 , D38V3 , D38W11 , D39C1-3 , D39C6 , D40C2 , D40C6 , D40D13 , D40D6 , D40DU4 , D40DU8 , D40N4 , D40NU1 , D40PU1 , D41D12 , D41DU10 , D41DU7 , D42C1 , D42C2 , D42CU4 , D42D5 , D42T4 , D43C5 , D43CU10 , D43CU3 , D44C3 , D44C9

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved