Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D33D30 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D33D30

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D33D30 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.5

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 70

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.75

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 100

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 100

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D33D4 , D33D6 , D33J21 , D33J24 , D33J25 , D33J28 , D33J30 , D34DJ1 , D34DJ7 , D38H8 , D38L2 , D38S8 , D38W11 , D39C3 , D39C6 , D40C6 , D40C8 , D40D11 , D40DU11 , D40E1 , D40K2 , D40P2 , D40PU1 , D41D12 , D41D9 , D41DU3 , D41E6 , D42CU1 , D42CU2 , D42T2 , D42T8

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved