Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D32W9 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D32W9

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D32W9 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 80

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 75

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 120

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D33D1 , D33D21 , D33D22 , D33D25 , D33D26 , D33D29 , D33D30 , D33J27 , D33K3 , D34DJ8 , D38H1 , D38L3 , D38S10 , D38W10 , D38W14 , D39J5 , D39J7 , D40C5 , D40D12 , D40DU10 , D40DU7 , D40K3 , D40N3 , D40PU2 , D41D1 , D41D4 , D41DU2 , D41K4 , D42C12 , D42CU7 , D42D4

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved