Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D32S9 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D32S9

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D32S9 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 180

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D32W10 , D32W12 , D32W13 , D32W8 , D32W9 , D33D21 , D33D23 , D33D5 , D33J25 , D34C6 , D34DJ4 , D38H5 , D38L1-3 , D38S5 , D38S9 , D39C4 , D39C5 , D39J9 , D40CU3 , D40D3 , D40DU12 , D40E3 , D40E6 , D40NU4 , D40PU4 , D41D1 , D41D8 , D41E3 , D41E7 , D42CU10 , D42CU5

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved