Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D32S7 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D32S7

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D32S7 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 60

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 120

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D32S8 , D32W10 , D32W11 , D32W14 , D32W7 , D33D1 , D33D21 , D33D30 , D33J23 , D34C4 , D34DJ2 , D38H4 , D38H9 , D38S3 , D38S7 , D39C2 , D39C4 , D39J7 , D40CU1 , D40D14 , D40DU10 , D40E1-4 , D40E5 , D40NU2 , D40PU2 , D40V5 , D41D6 , D41E1 , D41E5 , D42C9 , D42CU3

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved