Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D32S3 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D32S3

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D32S3 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 30

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 180

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D32S4 , D32S6 , D32S7 , D32W10 , D32W11 , D32W14 , D32W8 , D33D27 , D33D5 , D33K3 , D34C4 , D38H1 , D38H5 , D38L6 , D38S3 , D38W9 , D39C1 , D39J2 , D40C5 , D40D10 , D40D7 , D40DU7 , D40E1-4 , D40N3 , D40P3 , D40V1 , D41D2 , D41DU6 , D41E1 , D42C5 , D42CU10

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved