Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D32S2 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D32S2

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D32S2 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.4

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 30

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 160

Wytwórca:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D32S3 , D32S5 , D32S6 , D32S9 , D32W10 , D32W13 , D32W7 , D33D26 , D33D4 , D33K2 , D34C3 , D3858-10 , D38H4-6 , D38L5 , D38S2 , D38W8 , D38Y1-3 , D39J1-3 , D40C4 , D40D1 , D40D6 , D40DU6 , D40E1 , D40N2 , D40P2 , D40PU5 , D41D14 , D41DU5 , D41DU9 , D42C4 , D42CU1

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved