Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor D10G1051 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: D10G1051

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora D10G1051 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.5

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb):

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 15

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 1

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.05

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 130

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 4

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO: SIP

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: D10G1052 , D11B1052 , D11B1055 , D11C1057 , D11C10B1 , D11C11F1 , D11C1B1 , D11C410 , D11C7F1 , D16G6 , D16K4 , D26C1 , D26C7 , D27C1 , D27D1 , D28C5 , D28C7 , D28D4 , D29A8 , D29F1 , D29J3 , D2T2905A , D30A3 , D32K2 , D32P4 , D32S7 , D33D2 , D33J24 , D33J28 , D34DJ7 , D38H1-3

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved