Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 121-755 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 121-755

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 121-755 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 2

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 300

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 300

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 6

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 45

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO: TO202

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 121-792 , 1402 , 142T2 , 152NU70 , 153NU70 , 1601 , 16029 , 16316 , 16503 , 17322 , 17390 , 182T2 , 193DT2 , 2C2907A , 2C3637KV , 2CY32 , 2CY34 , 2G103 , 2G220 , 2G240 , 2G319 , 2G382 , 2G386 , 2G415 , 2G601 , 2H1257 , 2N1008B , 2N1016B , 2N1016F , 2N1028 , 2N1030

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved