Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2N3260 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2N3260

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N3260 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 200

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 200

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 30

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 10

Wytwórca:

CIAŁO: TO61

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2N3261 , 2N3263 , 2N3264 , 2N3267 , 2N3268 , 2N327A , 2N328 , 2N3289 , 2N3291A , 2N33 , 2N3301 , 2N3312 , 2N3318 , 2N333 , 2N333A , 2N3350DCSM , 2N3351DCSM , 2N3375 , 2N3393U , 2N3401 , 2N3410 , 2N3420 , 2N3420LCC4 , 2N3428 , 2N3435 , 2N3440 , 2N3446 , 2N347 , 2N3473 , 2N3490 , 2N3495

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved