Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2N3132 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2N3132

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N3132 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 90

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce):

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb):

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 5

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 100

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.03

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 40

Wytwórca:

CIAŁO: TO3

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2N3133 , 2N3134 , 2N3134S , 2N3136S , 2N3137 , 2N314 , 2N3141 , 2N3150 , 2N3156 , 2N3167 , 2N317 , 2N3182 , 2N3188 , 2N3199 , 2N3201 , 2N3214 , 2N3216 , 2N3225 , 2N3239 , 2N3247 , 2N3251 , 2N3265 , 2N327 , 2N3289 , 2N3295 , 2N329B , 2N3307 , 2N3321 , 2N3325 , 2N3347DCSM , 2N334B

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved