Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor BF660W . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: BF660W

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BF660W (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.11

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 30

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 4

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.025

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 400

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 0.6

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 60

Wytwórca:

CIAŁO: SOT23

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: BF666 , BF668 , BF679 , BF679T , BF680 , BF681 , BF689K , BF693W3 , BF715 , BF721T1 , BF722T3 , BF759BA , BF761BA , BF787 , BF791 , BF847 , BF850 , BF859BA , BF870SA , BF872SA , BF891 , BF970 , BFAP15 , BFG135 , BFG198 , BFG34 , BFG93A , BFJ53 , BFJ67 , BFN21 , BFN25

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved