Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor BD912 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: BD912

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BD912 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 90

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 100

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 15

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 3

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 15

Wytwórca:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: BD933 , BD934 , BD934F , BD936 , BD936F , BD938 , BD939 , BD944 , BD947 , BD954 , BD956 , BDB01A , BDB02D , BDC02C , BDC05 , BDP956 , BDS10-SM , BDS16 , BDS28B , BDT29 , BDT30A , BDT31CF , BDT32A , BDT41CF , BDT51 , BDT60 , BDT61B , BDT63BF , BDT63-TO63 , BDT81F , BDT84F

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved