Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor BD751B . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: BD751B

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BD751B (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 250

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 110

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 140

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 20

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 200

Maksymalna częstotliwość (Ft): 4

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 25

Wytwórca:

CIAŁO: TO3

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: BD751C , BD776 , BD777 , BD780 , BD785 , BD788 , BD790 , BD802 , BD810 , BD825-10 , BD825A , BD827A , BD828-6 , BD830-16 , BD830B , BD850 , BD862 , BD880 , BD902 , BD934F , BD939F , BD946F , BD948F , BD955F , BDAP54 , BDB02A , BDC01D , BDP949 , BDP953 , BDS17SM , BDS20SM

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved